-
1 ion-implantation profile
English-Russian big polytechnic dictionary > ion-implantation profile
-
2 ion-implantation profile
Электроника: профиль распределения примеси при ионной имплантацииУниверсальный англо-русский словарь > ion-implantation profile
-
3 ion-implantation profile
профіль розподілу домішки при іонній імплантаціїEnglish-Ukrainian dictionary of microelectronics > ion-implantation profile
-
4 ion-implantation profile
English-Russian dictionary of microelectronics > ion-implantation profile
-
5 profile
1. ім.1) профіль2) розріз; перетин2. дієсл. профілювати - Auger depth profile
- charge-carrier density profile
- chip profile
- concentration profile
- density profile
- depth profile
- diffusion profile
- dopant profile
- doping profile
- drift mobility profile
- etch profile
- firing profile
- Gaussian impurity profile
- graded profile
- hyperabrupt profile
- impurity profile
- ion-implantation profile
- lateral doping profile
- low profile
- n profile
- p profile
- potential profile
- resist profile
- resistivity profile
- solder-melt profile
- tailored doping profile
- undercut profile
- vertical doping profile -
6 профиль распределения примеси при ионной имплантации
Русско-английский словарь по микроэлектронике > профиль распределения примеси при ионной имплантации
-
7 профиль распределения примеси при ионной имплантации
Electronics: ion-implantation profileУниверсальный русско-английский словарь > профиль распределения примеси при ионной имплантации
См. также в других словарях:
ion-implantation profile — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… … Wikipedia
Ion beam — An ion beam is a type of particle beam consisting of ions. Ion beams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries. Today s ion beam sources are typically derived from the mercury vapor thrusters… … Wikipedia
profil d'implantation ionique — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Implantationsprofil — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
implantuotųjų jonų profilis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
профиль распределения имплантированных ионов — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
SIMOX-Technik — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… … Deutsch Wikipedia
Ionenimplantation — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… … Deutsch Wikipedia
Monolayer doping — (MLD) is a well controlled, wafer scale surface doping technique first developed at the University of California, Berkeley, in 2007.[1] This work is aimed for attaining controlled doping of semiconductor materials with atomic accuracy, especially … Wikipedia
Depletion-load NMOS logic — Depletion load nMOS/NMOS (n channel metal oxide semiconductor) is a form of nMOS logic family which uses depletion mode n type MOSFETs as load transistors as a method to enable single voltage operation and achieve greater speed than possible with … Wikipedia
